MOCVD REACTOR
   
MOCVD PARTS Recycle
   
Sapphire substrate
  藍寶石基板
EPI WAFER
  磊晶
LD,LED CHIP
  晶粒
LEAD FRAME
  支架
MOLD CASE
  模條
Measurement equipment
  測試設備
LD,LED DEVICE ASSY
  封裝代工
 
 
   
 
■結晶成長法 MOCVD法
 
ITEM Matrial Description Size
Light Emitting Diode AlGaInP 570nm~660nm φ2~φ4
AlGaAs 660nm~980nm φ2~φ4
InGaAsP 1050nm~1700nm φ2
InGaN/AlGaN 380nm~535nm φ2
Laser Diode AlGaAs 780nm~980nm φ2
AlGaInP 650nm φ2
InGaAsP/InGaAlAs 1300nm~1550nm φ2
InGaN/AlGaN 405nm φ2
Pin Diode InGaAs 1300nm φ2
Microwave AlGaAs/InGaAs/InGaP HEMT φ2~φ6
AlGaAs/InGaP HBT φ2~φ6
DBR AlGaInP/InGaP Reflective 99% up φ2
AlGaAs/GaAs Reflective 99% up φ2
InGaAlAs/InP Reflective 99% up φ2
InGaAsP/InP Reflective 99% up φ2
   
 
■評價項目
 
Double crystal X-ray diffraction
photoluminescence
Photoreflectance
Van der Pauw-Hall
Electrochemical C-Vprofiling
Reflectance difference spectroscopy
   
 
・EPI基板として高品質の基板を提供しています。
・EPI基板上への酸化膜などの加工も可能です。御相談ください。
・上記仕様に限らず、御用命を承ります。