MOCVD REACTOR     MOCVD PARTS Recycle     Sapphire substrate   藍寶石基板 EPI WAFER   磊晶 LD,LED CHIP   晶粒 LEAD FRAME   支架 MOLD CASE   模條 Measurement equipment   測試設備 LD,LED DEVICE ASSY   封裝代工           ■結晶成長法 MOCVD法   ITEM Matrial Description Size Light Emitting Diode AlGaInP 570nm～660nm φ2～φ4 AlGaAs 660nm～980nm φ2～φ4 InGaAsP 1050nm～1700nm φ2 InGaN/AlGaN 380nm～535nm φ2 Laser Diode AlGaAs 780nm～980nm φ2 AlGaInP 650nm φ2 InGaAsP/InGaAlAs 1300nm～1550nm φ2 InGaN/AlGaN 405nm φ2 Pin Diode InGaAs 1300nm φ2 Microwave AlGaAs/InGaAs/InGaP HEMT φ2～φ6 AlGaAs/InGaP HBT φ2～φ6 DBR AlGaInP/InGaP Reflective 99% up φ2 AlGaAs/GaAs Reflective 99% up φ2 InGaAlAs/InP Reflective 99% up φ2 InGaAsP/InP Reflective 99% up φ2       ■評價項目   Double crystal X-ray diffraction photoluminescence Photoreflectance Van der Pauw-Hall Electrochemical C-Vprofiling Reflectance difference spectroscopy       ・EPI基板として高品質の基板を提供しています。 ・EPI基板上への酸化膜などの加工も可能です。御相談ください。 ・上記仕様に限らず、御用命を承ります。