MOCVD REACTOR
   
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結晶成長法 　Kyropulos method
Material

　Al2O3 99.996% up
面方位 　Ｃ-AXIS (0001) off A方向、Ｍ方向　0.1～0.3deg
結晶サイズ 　φ２～φ６インチ
仕上げ 　片面鏡面研磨＆両面研磨
厚さ 　300μm～650μm
その他 　warp 10μm＞ , Ra 6nm ＞ ,laser marking
   
 
ＧａＮ用EPI結晶基板として高品質の基板を提供しています。
提供高品質GaN專用EPI結晶基板
上記仕様に限らず、御用命を承ります。
除上述尺寸基板，歡迎訂作