因為基板設置是face down方式、 所以密度缺少的問題大幅低減。
對瓦斯流動基板設置採用往下方向的方式、因此從火爐內部上方剥離的垃圾缺陥會大幅減低、
原件製作時的良率會改善。
●採用獨自的機械基板自公線方式
機械基板自公線方式是為了拿到均等的結晶，是敝社所開發的方法。
但是以前的東西是自線和公線的回轉速度無法獨立設定。敝社重新地開發裝置，
可以獨立設定回線速度、即使對於大的成長速度也可以拿到均等的結晶。
●採用基板運送方式
對應工廠内的量産過程、做cassette 到cassette的運送。不需要把基板每１片用手放到磊晶盤上。
基板的運送，在氮或氫中實行，為基板以外的零件不會接觸大氣的構造、因此可以重複做到高品質的磊晶 。
●實現很高的原料使用材料效率和均等性
由更新導入原料瓦斯的注射器，可以按照基板大小和片數改變瓦斯分解特性，
因此高原料的使用材料效率和均等性可以並存。
成長可能片數
電子原件 ６inch基板×８片(世界最大)
(A1GaAs/1nGaAs/GaAs)
光原件用(1nA1GaP) ２inch基板 標準15片/最大35片
３inch基板 標準12片/最大15片
Gan用 ２inch基板 標準15片/最大35片(開發中)
對於GaN可以商量研究開發用的小型炉。
保證特性及均等性
標準保證條件：膜厚度、組成均等性：±1.5% doping濃度：±2% |
